我们的服务

硅片检测

检测费用:免费初检,根据客户检测需求以及实验复杂程度进行报价。

检测周期:7-10个工作日出具检测报告。部分合规性评估检测项目3个工作日。

联系电话:400-062-0567或点击在线咨询,将有我们的研发工程师与您1对1沟通。

中析研究所在科研检测分析领域已有多年经验,拥有CMA资质和规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

检测项目(部分)

项目 检测内容
厚度 测量硅片的厚度,确保其符合设计要求
平整度 测量硅片的表面平整度,确保其表面光滑无缺陷
表面粗糙度 测量硅片表面的微观不平整度,确保其表面质量
晶向 确定硅片的晶体方向,确保其符合特定应用需求
电阻率 测量硅片的电阻率,确保其导电性能符合要求
掺杂浓度 测量硅片中的掺杂浓度,确保其半导体特性
缺陷密度 测量硅片中的缺陷密度,确保其质量
杂质含量 测量硅片中的杂质含量,确保其纯度
应力 测量硅片中的应力,确保其结构稳定性
热导率 测量硅片的热导率,确保其散热性能
光学特性 测量硅片的光学特性,确保其透光性和反射性
机械强度 测量硅片的机械强度,确保其耐久性
尺寸精度 测量硅片的尺寸精度,确保其几何尺寸符合要求
边缘质量 测量硅片的边缘质量,确保其无毛刺和裂纹
表面清洁度 测量硅片表面的清洁度,确保其无污染
表面损伤 检查硅片表面的损伤,确保其无划痕和裂痕
晶体完整性 检查硅片的晶体完整性,确保其无晶体缺陷
化学稳定性 测试硅片的化学稳定性,确保其在不同环境下的稳定性
热稳定性 测试硅片的热稳定性,确保其在高温下的性能
辐射稳定性 测试硅片的辐射稳定性,确保其在辐射环境下的性能

检测范围(部分)

分类 说明
单晶硅片 由单晶硅制成,具有较高的晶体质量和电性能
多晶硅片 由多晶硅制成,成本较低,适用于某些特定应用
抛光硅片 表面经过抛光处理,具有高平整度和低表面粗糙度
外延硅片 在硅片表面外延生长一层单晶硅,具有特定的电性能
SOI硅片 绝缘体上硅片,具有良好的隔离性能和低漏电流
太阳能级硅片 用于太阳能电池,具有较高的光吸收率和转换效率
半导体级硅片 用于半导体器件,具有高纯度和特定的电性能
大直径硅片 直径较大的硅片,适用于大规模集成电路制造
小直径硅片 直径较小的硅片,适用于特定的小型器件
高阻硅片 具有高电阻率的硅片,适用于高电压应用
低阻硅片 具有低电阻率的硅片,适用于高电流应用
N型硅片 掺杂N型杂质的硅片,具有负电荷载流子
P型硅片 掺杂P型杂质的硅片,具有正电荷载流子
掺杂硅片 掺杂特定杂质的硅片,具有特定的电性能
无掺杂硅片 未掺杂杂质的硅片,具有高纯度和低电阻率
光学硅片 用于光学器件,具有良好的透光性和光学特性
机械硅片 用于机械应用,具有高强度和耐磨性
生物硅片 用于生物医学应用,具有生物相容性和化学稳定性
辐射硅片 用于辐射环境,具有良好的辐射稳定性和耐久性

检测仪器(部分)

仪器 说明
厚度测量仪 用于测量硅片的厚度
表面粗糙度仪 用于测量硅片的表面粗糙度
晶向测量仪 用于确定硅片的晶体方向
电阻率测量仪 用于测量硅片的电阻率
掺杂浓度测量仪 用于测量硅片中的掺杂浓度
缺陷检测仪 用于检测硅片中的缺陷
杂质分析仪 用于分析硅片中的杂质含量
应力测量仪 用于测量硅片中的应力
热导率测量仪 用于测量硅片的热导率
光学特性测量仪 用于测量硅片的光学特性

检测标准(部分)

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

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